TechInsights：突破性技术 台积电最先进的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了
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TechInsights发文称，发现了台积电22ULL嵌入式RRAM（阻电存储器）芯片，低功耗无线物联网解决方案的领导者NordicSemTechInsights：突破性技术 台积电最先进的嵌入式RRAM芯片(22ULL eRRAM)来了iconductor推出的突破性nRF54LSoC器件采用了台积电的22ULL嵌入式RRAM（eRRAM）。
TechInsights拆解了FanstelEV-BM15EVKit，找到了NordicBT5.4SoCnRF54L15器件。自2019年以来，台积电提供了40纳米RRAM平台，现在的22纳米RRAM是台积电的第二代eRRAM。这是业界首个拥有最先进的22纳米CMOS技术的RRAM，可与嵌入式STT-MRAM相媲美。
eRRAM内存块密度为17.5bit/µm2，位线方向的RRAM层宽度为170纳米。RRAM存储层放置在metal3上。ReRAM使用电阻作为开关的基础。与STT-MRAM、FRAM和PCM等其他新兴存储器件一起，ReRAM是取代嵌入式闪存（eFlash）的主要竞争者之一。ReRAM不受辐射的影响，具有很高的电磁耐受性，并且没有泄漏问题，因为它不是基于电荷的器件。
责任编辑：欧阳名军
